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晶体三极管的参数
作者:电工大家阅读:555

晶体三极管由两个PN结组成,它有三个电极:发射极e、集电极c和基极b,有NPN型与PNP型两种三极管,其参数:


放大倍数

它是衡量三极管放大能力的一个主要参数,用集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示,约在40100之间,过高会使晶体管性能不稳定,过低放大效果不佳。β值随温度升高而变大,温度每升高1℃,β值约增大0.50%~0.1%。


反向饱和电流ICBO

当发射极开路时,集电结在反向电压作用下,集电极与基极间的反向电流,这个数值越小越好。小功率的硅管一般在0.1μA以下,锗管为几微安至几十微安。它受温度影响大,温度每升高10℃,ICBO增大一倍。


穿透电流ICEO

当基极开路时,集电结与发射极间加一定的反向电压时,流过集电极和发射极之间的电流,ICEO=1+βICBO这个数值越小越好。


集电极最大允许电流ICM

当三极管的集电极电流超过一定数值时,电流放大系数β将下降。ICM是指β下降至正常值的2/3时集电极电流。使用中,必须满足iC<ICM


反向击穿电压U(BR)CEO

当基极开路时,允许加在集电极与发射极间的最高反向电压称反向击穿电压U(BR)CEO。使用中,必须满足uCE<U(BR)CEO


集电极最大允许功率损耗PCM

 三极管消耗的功率PC=iCuCE,它转化为热能消耗在管内,使管子的温度升高,温度过高就会导致管子的性能变差,甚至烧坏管子,如温度升高时,ICBOβ的增大,输入特性曲线向左移,uBE减小,温度每升高1℃,uBE减小2~2.5mV。使用中,三极管消耗的功率要低于最大允许消耗PCM,即PC<PCM

根据管子的PCM值,可在晶体管的输出特性曲线上作出一条PCM曲线,由PCMICMU(BR)CEO三条曲线所包围的区域就是三极管的安全工作区,如下图所示。



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